Американские ученые обещают революцию — универсальные чипы памяти нового типа
25 января 2011 года
Специалисты Университета штата Северная Каролина (США) предложили новую методику изготовления компьютерной памяти, которая в перспективе может прийти на смену современным технологиям производства устройств хранения данных.
Изобретенное ими устройство получило название "полевой транзистор с двойным плавающим затвором", сообщает СОТОВИК.ру.
Новая разработка, как утверждают ученые, объединяет достоинства обоих видов компьютерной памяти, используемых в настоящее время.
Если в нынешней энергонезависимой памяти используются одиночные плавающие затворы, сохраняющие заряды для отражения состояний 0 или 1, то применение двойных плавающих затворов предполагает эксплуатацию одного из них для хранения разряда в энергонезависимой памяти, и параллельно второго — в энергозависимой.
Другими словами, речь идет о переключении между статическим и динамическим режимами работы компьютерной памяти в одном цикле, притом что данные никогда не исчезают в промежуточном состоянии.
Сейчас, напомним, в компьютерах применяется два основных типа памяти - энергонезависимая, но относительно медленная постоянная (жесткие диски, SSD-накопители), а также быстрая оперативная, нуждающаяся в постоянном питании.
Оперативная память обладает высокой производительностью, но не способна хранить информацию при отсутствии энергоснабжения. Постоянная память может сохранять записанные данные даже после полного прекращения энергоснабжения, но ее скорость передачи данных существенно уступает оперативной памяти.
Универсальная память, комбинирующая скорость DRAM-микросхем с энергонезависимостью и плотностью флеш-памяти, обеспечит почти мгновенный запуск компьютеров и снизит энергопрожорливость крупномасштабных "серверных ферм".
Источники
править
Любой участник может оформить статью: добавить иллюстрации, викифицировать, заполнить шаблоны и добавить категории.
Любой редактор может снять этот шаблон после оформления и проверки.
Комментарии
Если вы хотите сообщить о проблеме в статье (например, фактическая ошибка и т. д.), пожалуйста, используйте обычную страницу обсуждения.
Комментарии на этой странице могут не соответствовать политике нейтральной точки зрения, однако, пожалуйста, придерживайтесь темы и попытайтесь избежать брани, оскорбительных или подстрекательных комментариев. Попробуйте написать такие комментарии, которые заставят задуматься, будут проницательными или спорными. Цивилизованная дискуссия и вежливый спор делают страницу комментариев дружелюбным местом. Пожалуйста, подумайте об этом.
Несколько советов по оформлению реплик:
- Новые темы начинайте, пожалуйста, снизу.
- Используйте символ звёздочки «*» в начале строки для начала новой темы. Далее пишите свой текст.
- Для ответа в начале строки укажите на одну звёздочку больше, чем в предыдущей реплике.
- Пожалуйста, подписывайте все свои сообщения, используя четыре тильды (~~~~). При предварительном просмотре и сохранении они будут автоматически заменены на ваше имя и дату.
Обращаем ваше внимание, что комментарии не предназначены для размещения ссылок на внешние ресурсы не по теме статьи, которые могут быть удалены или скрыты любым участником. Тем не менее, на странице комментариев вы можете сообщить о статьях в СМИ, которые ссылаются на эту заметку, а также о её обсуждении на сторонних ресурсах.
