В Великобритании случайно создали чипы памяти нового типа, работающие в обычных условиях
21 мая 2012 года
Ученым из Университетского колледж Лондона (UCL) удалось впервые создать чипы "резистивной памяти с произвольным доступом" (Resistive RAM, ReRAM, RRAM) на базе оксида кремния, работающие при обычных условиях, а не в вакууме, как другие разрабатываемые в разных странах образцы, в которых тоже используется оксид кремния.
Примечательно, что память была создана не специально: лондонские исследователи изучали возможность использования оксида кремния в светодиодах и обратили внимание на нестабильность параметров пленки оксида и ее способность принимать два состояния, сообщает iXBT.com.
Это достижение открывает путь к новой сверхвысокоскоростной памяти для компьютеров, карманных медиаплееров, видеокамер и различных мобильных устройств, уверены исследователи, но когда именно разработка придет в серийные электронные устройства, британские ученые не говорят.
ReRAM совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND. Принцип работы заключается в изменении сопротивления материала под действием напряжения. Память является энергонезависимой, то есть сохраняет свое состояние в отсутствие питания. К преимуществам ReRAM над широко используемой сейчас флеш-памятью относятся, помимо высокого быстродействия, более высокая плотность, большая долговечность и меньшее энергопотребление.
Микросхемы ReRAM способны обеспечивать приблизительно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми, а по сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и заметно большим количеством циклов перезаписи.
Работы по созданию ReRAM ведутся уже давно. Теоретические основы нового элемента электросхемотехники, который мог стать основой для всех электрических схем и использоваться наряду с сопротивлением, конденсатором и индуктивностью, были сформулированы еще в начале 1970-х годов, но на практике реализовать эту идею не удавалось вплоть до 2008 года, когда исследователи из Hewlett-Packard впервые сообщили о создании работающего мемристора на основе диоксида титана.
Некоторые эксперты уверены, что уже к 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современных компьютерах в качестве оперативной памяти.
Отличие разработки UCL от всех предыдущих заключается в новой структуре ячейки памяти, состоящей из оксида кремния. Она характеризуется более высокой эффективностью переключения ячейки из одного состояния в другое.
Под действием переключающего напряжения в оксиде формируются или разрушаются кремниевые "нити", соответственно уменьшающие или увеличивающие сопротивление ячейки. Важно, что чип работает при обычных условиях, а не в вакууме.
Другой примечательной особенностью новой памяти является возможность формирования ее в виде тонких прозрачных пленок, например, интегрируемых в сенсорные экраны мобильных устройств.
Источники
править
Любой участник может оформить статью: добавить иллюстрации, викифицировать, заполнить шаблоны и добавить категории.
Любой редактор может снять этот шаблон после оформления и проверки.
Комментарии
Если вы хотите сообщить о проблеме в статье (например, фактическая ошибка и т. д.), пожалуйста, используйте обычную страницу обсуждения.
Комментарии на этой странице могут не соответствовать политике нейтральной точки зрения, однако, пожалуйста, придерживайтесь темы и попытайтесь избежать брани, оскорбительных или подстрекательных комментариев. Попробуйте написать такие комментарии, которые заставят задуматься, будут проницательными или спорными. Цивилизованная дискуссия и вежливый спор делают страницу комментариев дружелюбным местом. Пожалуйста, подумайте об этом.
Несколько советов по оформлению реплик:
- Новые темы начинайте, пожалуйста, снизу.
- Используйте символ звёздочки «*» в начале строки для начала новой темы. Далее пишите свой текст.
- Для ответа в начале строки укажите на одну звёздочку больше, чем в предыдущей реплике.
- Пожалуйста, подписывайте все свои сообщения, используя четыре тильды (~~~~). При предварительном просмотре и сохранении они будут автоматически заменены на ваше имя и дату.
Обращаем ваше внимание, что комментарии не предназначены для размещения ссылок на внешние ресурсы не по теме статьи, которые могут быть удалены или скрыты любым участником. Тем не менее, на странице комментариев вы можете сообщить о статьях в СМИ, которые ссылаются на эту заметку, а также о её обсуждении на сторонних ресурсах.
