В США изобрели 2D-транзистор
3 июня 2014 года
Учёные из США объявили о разработке первого в мире двухмерного транзистора — небольшого «плоского» электронного устройства, которое передаёт электрический ток и позволяет создать электросхему для питания других устройств. Ученые надеются, что 2D-транзисторы можно будет использовать для создания дисплеев с высоким разрешением, но потребляющих мало энергии.
В создании 2D-транзиторов приняли участие две группы ученых: из Аргоннской национальной лаборатории в пригороде Чикаго и из Калифорнийского университета. По словам авторов проекта, толщина транзисторов составляет всего несколько атомов, а столь тонкие предметы могут считаться двухмерными. Обычно транзисторы изготавливают с использованием кремния, однако на этот раз, как утверждают ученые, использовались материалы с еще более эффективными свойствами.
В компьютерных процессорах, картах памяти, экранах телевизоров и других электронных устройствах содержится миллионы транзисторов на основе кремния. Однако эти крошечные детали обладают определенными ограничениями.
Как отмечает профессор электротехники из Университета Джорджа Мейсона Димитриос Иоанну, традиционный транзистор уже подвергся всем возможным усовершенствованиям. Теперь же ученые искали новые материалы с особыми свойствами. Им хотелось, чтобы транзисторы можно было делать гибкими и прозрачными:
Если слои очень тонкие, транзистор можно сделать гибким, а не обязательно жестким, как в случае с кремниевыми пластинами. В этом случае можно подумать о таких областях применения, как нательная электроника, телеэкраны и тому подобные вещи. |
Кроме того, новые транзисторы способны передавать более высокое напряжение и делают это гораздо быстрее традиционных. Это важно для экранов с высоким разрешением.
По словам Иоанну, это научное достижение может в будущем оказаться очень полезным:
Впервые каждый слой в толщину составляет всего около одного атома, в этом главное новшество. Теперь еще предстоит определить, насколько это будет полезным, но это определенно шаг вперёд. |
По словам учёных, пока нет хорошего метода изготовления таких новых транзисторов в больших количествах из одного исходного материала, однако они полагают, что со временем это станет возможным.
Источники
правитьКомментарии
Если вы хотите сообщить о проблеме в статье (например, фактическая ошибка и т. д.), пожалуйста, используйте обычную страницу обсуждения.
Комментарии на этой странице могут не соответствовать политике нейтральной точки зрения, однако, пожалуйста, придерживайтесь темы и попытайтесь избежать брани, оскорбительных или подстрекательных комментариев. Попробуйте написать такие комментарии, которые заставят задуматься, будут проницательными или спорными. Цивилизованная дискуссия и вежливый спор делают страницу комментариев дружелюбным местом. Пожалуйста, подумайте об этом.
Несколько советов по оформлению реплик:
- Новые темы начинайте, пожалуйста, снизу.
- Используйте символ звёздочки «*» в начале строки для начала новой темы. Далее пишите свой текст.
- Для ответа в начале строки укажите на одну звёздочку больше, чем в предыдущей реплике.
- Пожалуйста, подписывайте все свои сообщения, используя четыре тильды (~~~~). При предварительном просмотре и сохранении они будут автоматически заменены на ваше имя и дату.
Обращаем ваше внимание, что комментарии не предназначены для размещения ссылок на внешние ресурсы не по теме статьи, которые могут быть удалены или скрыты любым участником. Тем не менее, на странице комментариев вы можете сообщить о статьях в СМИ, которые ссылаются на эту заметку, а также о её обсуждении на сторонних ресурсах.