Новая технология позволит создать накопители для ноутбуков емкостью свыше 10 Тб
27 марта 2015 года
Американский производитель памяти Micron Technology объявил о прорыве в области конструирования и производства флеш-памяти типа 3D NAND, который позволит оснащать ноутбуки накопителями емкостью свыше 10 Тб, пишет CNews.
Новая технология была разработана при участии инженеров из компании Intel. В ее основе лежит использование большого количества слоев ячеек, наложенных друг на друга. В ходе работы инженерам удалось расположить таким образом 32 слоя ячеек. Используя технологию хранения двух битов данных в одной ячейке, они получили чипы емкостью 32 Гб, а технология трех битов в ячейке повысила емкость носителя до 48 Гб.
Во избежание потери качества и надежности работы памяти разработчики из Micron и Intel воспользовались ячейками с плавающим затвором. Такие ячейки получили распространение во флеш-памяти с планарной структурой и до этого ни разу не использовались в 3D NAND. Партнеры утверждают, что новая память достаточно надежна, чтобы ее можно было использовать в дата-центрах.
"Двухмерная NAND-память близка к своей технологической границе, что становится вызовом для индустрии флеш-памяти. Перспективная технология 3D NAND позволит производителям чипов памяти продолжить следовать закону Мура, обеспечивая дальнейший рост производительности и сокращения издержек", – отмечается в заявлении Micron.
В компании также заявили, что чипы, созданные на базе новой технологии, позволят создавать SSD-накопители емкостью 3,5 Тб, размер которых будет сопоставим с размером жевательной резинки, а накопители емкостью свыше 10 Тб, созданные по той же технологии, будут размером с 2,5-дюймовый диск. В Micron подчеркнули, что эти показатели втрое превышают показатели современных носителей.
Первые тестовые образцы новых чипов емкостью 32 Гб уже поставляются заказчикам, а поставки носителей емкостью 48 Гб начнутся до конца весны. Серийный выпуск новых чипов разработчики планируют наладить в конце текущего года, а на рынке они должны появиться в начале 2016 года.
Источники
править
Любой участник может оформить статью: добавить иллюстрации, викифицировать, заполнить шаблоны и добавить категории.
Любой редактор может снять этот шаблон после оформления и проверки.
Комментарии
Если вы хотите сообщить о проблеме в статье (например, фактическая ошибка и т. д.), пожалуйста, используйте обычную страницу обсуждения.
Комментарии на этой странице могут не соответствовать политике нейтральной точки зрения, однако, пожалуйста, придерживайтесь темы и попытайтесь избежать брани, оскорбительных или подстрекательных комментариев. Попробуйте написать такие комментарии, которые заставят задуматься, будут проницательными или спорными. Цивилизованная дискуссия и вежливый спор делают страницу комментариев дружелюбным местом. Пожалуйста, подумайте об этом.
Несколько советов по оформлению реплик:
- Новые темы начинайте, пожалуйста, снизу.
- Используйте символ звёздочки «*» в начале строки для начала новой темы. Далее пишите свой текст.
- Для ответа в начале строки укажите на одну звёздочку больше, чем в предыдущей реплике.
- Пожалуйста, подписывайте все свои сообщения, используя четыре тильды (~~~~). При предварительном просмотре и сохранении они будут автоматически заменены на ваше имя и дату.
Обращаем ваше внимание, что комментарии не предназначены для размещения ссылок на внешние ресурсы не по теме статьи, которые могут быть удалены или скрыты любым участником. Тем не менее, на странице комментариев вы можете сообщить о статьях в СМИ, которые ссылаются на эту заметку, а также о её обсуждении на сторонних ресурсах.
