Продемонстрирован первый транзистор на основе аналога графена — силицена
5 февраля 2015 года
<dynamicpagelist> category = Опубликовано category = Физика count = 3 orcer = addcategory suppresserrors = true namespace = Main addfirstcategorydate = true </dynamicpagelist>
<dynamicpagelist> category = Опубликовано category = Наука count = 5 notcategory = Физика orcer = addcategory suppresserrors = true namespace = Main </dynamicpagelist>
Учёные из Техасского университета в Остине сделали первый в мире транзистор из силицена — двумерного аллотропного соединения кремния, подобного графену.
Хотя теоретики рассуждали о существовании и возможных свойствах силицена, его долгое время не удавалось получить. Только в 2010 году через сканирующий туннельный микроскоп впервые наблюдали структуры кремния, похожие на силицен.
В таблице химических элементов кремний находится в одной группе с углеродом, из которого и сделан графен, поэтому у этих элементов схожие свойства. Они настолько похожи, что учёные даже предполагают существование жизни на основе кремния на других планетах, вместо земной углеродной жизни.
Двумерное вещество силицен разделяет и другие характеристики графена, в том числе высокую подвижность электронов. Что тоже важно, в силицене существует относительно узкая запрещённая зона — энергетический зазор между зоной проводимости и валентной зоной, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона. То есть силицен снимает ограничения, привычные для графена.
Специалисты из университета Техаса сумели изготовить слой силицена, применив новый техпроцесс в вакуумной комнате, где атомы кремния осаждались на кристалл серебра. Затем сверху осаждался ещё один нанометеровый слой алюминия для защиты силицена от кислорода. Учёным удалось перенести эти слои на кремниевую подложку и оголить отдельные участки силицена, не повредив его.