Открыть главное меню

Изменения

Текст, источники
{{рецензировать}}
{{редактируется}}
{{Химия}}
{{дата|17 июля 2014}}
<!-- [[Файл:|thumb|left|250px|]] Вставьте имя (после слова «Файл:») и описание (перед символами «]]») файла с Викисклада. -->
Американские учёные, работающие в {{w|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|лаборатории в Беркли}}, с помощью производителя процессоров [[Intel]] представили новую разновидность {{w|фоторезист}}а, являющуюся смесью двух фоторезистов - с химическим усилением и без химического усиления - и превосходящую в своём качестве их оба. Разрешение фотошаблона составляет 20 нм, в отличие от 24нм и 28 нм исходных составляющих.
 
В процессе {{w|Фотолитография|фотолитографии}} фоторезист растворяется в кислоте за счёт преимущественно {{w|энтальпия|энтальпийных}} (фоторезист с химическим усилением) или {{w|энтропия|энтропийных}} (без химического усиления) механизмов. Учёные исследовали свойства смеси при разных процентных соотношениях. Оказалось, что за счёт объединения таких преимуществ, как механическая стабильность резины с {{w|оксетан}}ом (для сшивки, образования поперечных межцепных связей) и высокая светочувствительность резины с {{w|сложные эфиры|эфир}}ом (метил-адамантан {{w|метакрилат}}), достигается улучшение качества. Шероховатость края линии рисунка уменьшается с 6нм и 5.5нм для исходных составляющих до 4нм для разработанной смеси.
 
Как сообщил Поль Эшби, научный сотрудник [[:w:en:Molecular Foundry|молекулярной литейной]] в {{w|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|лаборатории в Беркли}}, учёные хотят понять механизмы, позволившие добиться повышенного разрешения и низкой шероховатости линий, с целью разработки ещё более качественных резистов на основании полученных результатов. Так как используемое в лаборатории {{w|Фотолитография в глубоком ультрафиолете|ультрафиолетовое излучение с низкой (от 124нм до 10нм) длиной волны}} достигнет массового использования в промышленности только к 2017 году (согласно заявлениям [[Intel]], {{w|TSMC}}, {{w|GlobalFoundries}} на 2013 EUVL Workshop), то у учёных есть несколько лет для достижения даже меньшего размера транзисторов.
 
{{haveyoursay}}
 
== Источники ==
* {{источник|url=http://ko.com.ua/na_pomoshh_zakonu_mura_prihodit_fundamentalnaya_himiya_106133|Название=На помощь закону Мура приходит фундаментальная химия|Автор=|Издатель=Компьютерное обозрение|Дата=17 июля 2014}}
* {{источник|url=http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1323133|Название=Intel Readies Super-Resist for EUV|Автор=R. Colin Johnson|Издатель=en:EE Times|Дата=17 июля 2014}}
* {{источник|url=https://newscenter.lbl.gov/2014/07/15/fundamental-chemistry-findings-could-help-extend-moores-law/|Название=Fundamental Chemistry Findings Could Help Extend Moore’s Law|Автор=Kate Greene|Издатель=Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|Дата=15 июля 2014}}
* {{источник|url=http://iopscience.iop.org/0957-4484/25/31/315301|Название=Harnessing entropic and enthalpic contributions to create a negative tone chemically amplified molecular resist for high-resolution lithography |Автор=Prashant K Kulshreshtha, Ken Maruyama, Sara Kiani, James Blackwell, Deirdre L Olynick and Paul D Ashby|Издатель=en:Nanotechnology (journal)|Дата=15 июля 2014}}
 
<!-- Добавляйте категории разделяя символом «|» -->
{{Категории|Компьютерные технологии|Нанотехнологии|Наука и технологии|НанотехнологииСША|Физика|Химия|США|}}
 
<!-- Комментарии не нужны -->
29

правок