Открыть главное меню

Изменения

Когда?
<!-- Напишите свой текст ниже этой строчки -->
 
Американские учёные, работающие в {{w|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|лаборатории в Беркли}}, с помощью производителя процессоров [[Intel]] представилиразработали новую разновидность {{w|фоторезист}}а, являющуюся смесью двух фоторезистов - с химическим усилением и без химического усиления - и превосходящую в своём качестве их оба. Разрешение фотошаблона составляет 20 нм, в отличие от 24нм и 28 нм исходных составляющих. Журнал "Нанотехнологии" ({{lang-en|[[:w:en:Nanotechnology (journal)|Nanotechnology]]}}) опубликовал статью 15 июля.
 
В процессе {{w|Фотолитография|фотолитографии}} фоторезист растворяется в кислоте за счёт преимущественно {{w|энтальпия|энтальпийных}} (фоторезист с химическим усилением) или {{w|энтропия|энтропийных}} (без химического усиления) механизмов. Учёные исследовали свойства смеси при разных процентных соотношениях. Оказалось, что за счёт объединения таких преимуществ, как механическая стабильность резины с {{w|оксетан}}ом (для сшивки, образования поперечных межцепных связей) и высокая светочувствительность резины с {{w|сложные эфиры|эфир}}ом (метил-адамантан {{w|метакрилат}}), достигается улучшение качества. Шероховатость края линии рисунка уменьшается с 6нм и 5.5нм для исходных составляющих до 4нм для разработанной смеси.
29

правок