Специалисты из США и Японии обещают к 2018 году наладить коммерческий выпуск оперативной памяти следующего поколения
25 ноября 2013 года
Японские и американские специалисты объявили о начале широкомасштабных разработок нового типа оперативной памяти. Вместо динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), которая повсеместно используется в современных компьютерах и смартфонах, светила науки предлагают использование магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Свои усилия в рамках революционного проекта объединили более двадцати компаний, среди которых есть такие флагманы, как Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и американский гигант Micron Technology, сообщает портал CNET.
По словам ученых, новый тип памяти может увеличить производительность цифровых устройств в десятки раз, при этом снизив их энергопотребление. Если объяснять популярно, то разница между DRAM и MRAM состоит в разном способе хранения информации. Если DRAM использует для этого электрические заряды, то MRAM хранит информацию с помощью магнитных моментов, для поддержания которых нужно гораздо меньше энергии, что упрощает работу с проводниками и стабилизаторами.
Разработки в этой области будут вестись с использованием интеллектуального капитала нескольких десятков ученых из японского Университета Тохоку, во главе исследователей будет стоять профессор Тетсуо Эндо. Полномасштабная работа над проектом начнется в феврале 2014 года. Массовый выпуск устройств на основе MRAM, впрочем, обещают наладить не ранее 2018 года.
Важно отметить, что специалисты из Университета Тохоку не единственные, кто занимается перспективной разработкой. Компания Everspin Technologies (Архивная копия от 3 апреля 2015 на Wayback Machine) обещает в самом ближайшем будущем начать выпускать MRAM память, а инженеры из компании Buffalo уже в 2015 году обещают выпустить первый SSD с ST-MRAM-буфером, как раз разработанным энтузиастами из Everspin, сообщает 3DNews.
Работа над технологиями магниторезистивной памяти MRAM началась в 90-х годах прошлого столетия. Главным преимуществом этого типа запоминающих устройств является энергонезависимость. Сторонники технологии верят, что MRAM станет единым стандартом компьютерной памяти, хотя до сих пор решение не получило распространения на рынке. Лабораторные успехи, о которых время от времени докладывают разработчики, не приближали стадии коммерческого использования MRAM.
А совсем недавно и российские разработчики сообщили о начале работ на основе MRAM. Совместное предприятие "Роснано" и Crocus Technology - "Крокус Наноэлектроника" - запустило первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти. Как сообщает РБК, к концу 2014 года его производительность должна составить 500 пластин в неделю.
Источники править
Любой участник может оформить статью: добавить иллюстрации, викифицировать, заполнить шаблоны и добавить категории.
Любой редактор может снять этот шаблон после оформления и проверки.
Комментарии
Если вы хотите сообщить о проблеме в статье (например, фактическая ошибка и т. д.), пожалуйста, используйте обычную страницу обсуждения.
Комментарии на этой странице могут не соответствовать политике нейтральной точки зрения, однако, пожалуйста, придерживайтесь темы и попытайтесь избежать брани, оскорбительных или подстрекательных комментариев. Попробуйте написать такие комментарии, которые заставят задуматься, будут проницательными или спорными. Цивилизованная дискуссия и вежливый спор делают страницу комментариев дружелюбным местом. Пожалуйста, подумайте об этом.
Несколько советов по оформлению реплик:
- Новые темы начинайте, пожалуйста, снизу.
- Используйте символ звёздочки «*» в начале строки для начала новой темы. Далее пишите свой текст.
- Для ответа в начале строки укажите на одну звёздочку больше, чем в предыдущей реплике.
- Пожалуйста, подписывайте все свои сообщения, используя четыре тильды (~~~~). При предварительном просмотре и сохранении они будут автоматически заменены на ваше имя и дату.
Обращаем ваше внимание, что комментарии не предназначены для размещения ссылок на внешние ресурсы не по теме статьи, которые могут быть удалены или скрыты любым участником. Тем не менее, на странице комментариев вы можете сообщить о статьях в СМИ, которые ссылаются на эту заметку, а также о её обсуждении на сторонних ресурсах.